主要特点

主要特点

◼ 高增益带宽积：7GHz

◼ 解补偿，增益≥ 7V/V（稳定）

◼ 超低偏置电流 MOSFET 输入：2pA

◼ 低输入电压噪声：3nV/√Hz

◼ 压摆率： 2000V/µs

◼ 宽输入共模范围：

 -低于正电源 1.4V

 -高于负电源 0.2V

◼ TIA 配置下的输出摆幅：2.5Vpp (VDD=5V)

◼ 电源电压范围：3.3V 至 5.5V

◼ 静态电流：25mA

◼ DFN8 封装

◼ 温度范围：-40°C 至+125°C