主要特点

主要特点

◼ 单通道 H 桥栅极驱动器

-驱动四个外部 N 沟道 MOSFET

-支持 100% 脉宽调制 (PWM)占空比

◼ 工作电源电压范围：5.5V 至 45V

◼ 三个控制模式

-PH/EN、独立半桥和 PWM

◼ 可调压摆率控制

◼ 每个半桥独立控制

◼ 支持 1.8V、3.3V 和 5V 逻辑输入

◼ 电流分流放大器

◼ 集成 PWM 电流调节功能

◼ 低功耗休眠模式

◼ 保护特性

-电源欠压锁定 (UVLO)

-电荷泵欠压 (CPUV)锁定

-过流保护 (OCP)

-栅极驱动故障 (GDF)

- 过温保护 (TSD)

-故障调节输出 (nFAULT)

◼ AEC-Q100 认证